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MOS管并聯均流技術分析 IGBT管并聯均流技術分析 BJT?管并聯均流技術分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內阻低、耐壓高、電流大、驅動簡易等優良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯mos管的問題。并聯mos管的兩大問題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數的篩選。 首先我們測試從某網店購買的IRF4
歐電阻的溫度影響精度測試分析 取樣電阻的溫度影響精度測試分析 分流器的精確測試分析 分流器是測量直流電流用的,根據直流電流通過阻值很小的電阻時在電阻兩端產生電壓的原理制成。 在實際應用中,要測量一個很大的電流值,沒有大量程的電流表測量其電流,分流器就可以產生作用了。分流器兩端產生毫伏級直流電壓信號,使并接在該分流器兩端的計量表顯示電壓值,分流器的電阻時定值,通過計算得到實際測量的電流值。 但實際生
一、應用范圍 1、高壓實驗 2、電器設備的絕緣耐壓測試 3、 高壓電容耐壓測試 4、電子加速實驗 5、 電離空氣產生等離子體 6、半導體器件測試 7、IGBT測試 8、二極管測試 二、電源參數 類型 數值 單位 備注 輸出電壓 0-20.00 kV 電壓控制 0-5 V 電源自帶的多圈電位器可通過0-5V調節輸出的0-20kv 過流保護 5 W 當輸出功率大于5W時,電源自動啟動保護 輸出功率 0
正負干擾抵消電光調Q干擾消除方法分析 高壓窄脈沖干擾消除方法分析*二版 電光調Q是一種高壓窄脈沖,具有高電壓、大電流、寬頻帶范圍強干擾的特性,電子設備在如此干擾的環境中,往往出現死機、誤動作、花屏、甚至燒損等故障,這類故障的形成原因復雜,使用傳統的處理故障手段力所不及。一般情況下,電光調Q形成單向高壓脈沖,雖然采用濾波,屏蔽等手段,能夠降低干擾到原來的10%;但是任然不能滿足精密測試的要求;較高等
公司名: 長春艾克思科技有限責任公司
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