電光調(diào)Q驅(qū)動器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品

時間：2020-01-05作者：長春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：973

長春艾克思科技有限責(zé)任公司專注于調(diào)Q電源,二極管測試儀,TEC溫度控制器等

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• 首創(chuàng)：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能！

  **：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能！ 電光調(diào)Q開關(guān)是利用晶體的電光效應(yīng)制成的Q開關(guān)。電光調(diào)Q開關(guān)的開關(guān)速度快、器件的效率高等優(yōu)點(diǎn)！但是正是由于較高的開關(guān)速度，在調(diào)Q器件兩端都會形成壓電振鈴效應(yīng)，這一效應(yīng)增大了調(diào)Q開關(guān)的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應(yīng)：調(diào)Q驅(qū)動器通過導(dǎo)線和晶體連接，連接導(dǎo)線等效為一個諧振電感L，晶體等效為一個諧振電容C，如圖1所示；電光調(diào)Q過程是一個高壓窄脈沖過程，高壓脈

• AIKS推出2kHz電光調(diào)Q模塊，主要應(yīng)用于激光打標(biāo)機(jī)領(lǐng)域！

  AIKS推出2kHz電光調(diào)Q模塊，主要應(yīng)用于激光打標(biāo)機(jī)領(lǐng)域！ 該模塊在原有基礎(chǔ)上，將工作頻率提高到2kHz，自身消耗功率小于5W，體積小巧，很容易和激光器集成在一起。同時模塊增加了和激光打標(biāo)卡的接口，直接用于現(xiàn)有各種打標(biāo)軟件系統(tǒng)。

• MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析

  MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4

• 0-15A智能PID半導(dǎo)體制冷片恒流驅(qū)動源

  0-15A智能PID半導(dǎo)體制冷片恒流驅(qū)動源 （型號：TEC-300W-15A-20） 可用于控制激光器件、 醫(yī)療器件、半導(dǎo)體器件、紅外探測器、光電倍增管、或其它任何需要溫度控制的地方。該產(chǎn)品采用現(xiàn)代較新電力電子器件和高速微處理器(MPU)程序控制技術(shù)，以及PWM調(diào)制、雙向電源、PID調(diào)節(jié)技術(shù)，具有優(yōu)良的電壓、電流輸出特性，開關(guān)機(jī)時無過沖、反沖、浪涌現(xiàn)象，并帶有過流、過溫、欠溫等保護(hù)電路，以及一組常