閩臺STANSON廠家直銷STN4402 SOP-8 N30V 12A用于遙控器

時間：2020-01-05

作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司

詞條
詞條說明
MOS管STN2610 參數 **0V 50A 應用于電子測量儀器原廠庫存足交貨快
STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述stn2610d使用溝槽技術，提供優良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設備是適合作為負載開關或在應用程序使用。特征60v / 10.0a，RDS（上）= 10mΩ（典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a，RDS（上）= 12m@ VGS = 4.5v**高密度電池設計較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力to-25
技術支持
司坦森已經建立了直接的技術支持團隊，戰略定位在美國、臺北和深圳。我們提供完整的系統級支持，包括客戶板的設計和布局，為客戶快速投放市場的生產調試。我們經驗豐富的本地技術人員包括現場銷售工程師，現場應用工程師，具有各種消費和工業產品設計的背景。 Stanson可以實時提供系統設計、具體應用建議和系統調試服務。我們努力成為我們的客戶，特別是在新產品開發領域的較佳合作伙伴。 Stanson has es
STP413D P40V 12A用于掃地機可替代AOD413A、UT5504、UTD413
STP413D TO-252 P40V 12A替代UT5504、UTD413閩臺司坦森原廠直銷描述STP413D是P溝道增強型功率場效應晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術。的stp413d已特別設計，以提高直流/直流轉換器的整體效率，無論是使用同步或傳統的開關型脈寬調制控制器。它已被優化為低柵電荷，低的RDS（on）和快速開關速度。特征-40V / -12.0a，RDS（上）= 36mΩ
STC6301D
STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強模式電場效應晶體管mos戰壕技術。這種高密度的過程特別適合將狀態阻力降到低并提供優越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用如電源管理，其中高側開關、低在線功率損耗和暫態電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v