可控硅的優點
- 時間：2025-06-28作者：蘇州徳昇锘電子科技有限公司瀏覽：334
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詞條說明
IGBT模塊是一種集成了多個功率晶體管的半導體器件。IGBT是 Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙較型晶體管）的縮寫，它是一種電力開關器件，具有普通雙較型晶體管和金屬氧化物場效應管（MOSFET）的優點。該器件在控制電流方面具有高速度和高電壓電流承受能力。 IGBT模塊通常由多個IGBT和自由較二極管、驅動電路、溫度傳感器、故障保護電路等組成。由于它的結構
6,9GRB000D08V/040 690V 40A美爾森設備保護用熔斷器
6,9GRB000D08V/040 690V 40A??6,9GRB000D08V/050 690V 50A??6,9GRB000D08V/063 690V 63A??6,9URB000D08V/080 690V 80A??6,9URB000D08V/100 690V 100A??6,9URB000
羅蘭6,9GRB000D08V/025 690V 法雷/美爾森FERRAZ熔斷器
6,9GRB000D08V/025 690V 26,9GRB000D08V/032 690V 32A??6,9GRB000D08V/040 690V 40A??6,9GRB000D08V/050 690V 50A??6,9GRB000D08V/063 690V 63A??6,9URB000D08V/080 690V 8
快恢復二極管（Fast Recovery Diode）是一種專門用于高頻開關電路的二極管。相比于普通二極管，快恢復二極管具有更快的恢復速度和更低的反向恢復時間，可以更快地切斷電路中的電流，從而減小反向漏電流和電磁干擾等問題。 快恢復二極管的主要特點包括：快速恢復時間：快恢復二極管的恢復時間很短，一般在納秒級別，可以更快地切斷電路中的電流，從而減小反向漏電流和電磁干擾等問題。低反向漏電流：由于恢復時
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