MOS管失效原因是什么？

時間：2019-12-18

作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司

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詞條說明
STC6301D
STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強模式電場效應晶體管mos戰壕技術。這種高密度的過程特別適合將狀態阻力降到低并提供優越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用如電源管理，其中高側開關、低在線功率損耗和暫態電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v
STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S
STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態的阻力并提供優越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側開關，低的在線功率損耗和電阻瞬態是必要的。特征N溝道60V /幅，RDS（ON）= 35mΩ（典型值）@ VG
STN4828 N60V 10A STANSON 原廠替代Si4900、AO4828
STANSON/司坦森原廠 STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930、MDS5951、SM4041DSK、Si9945BDY、Si4946CDY描述STN4828是雙N溝道邏輯增強型功率場效應晶體管是利用高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態的阻力。這些裝置特別適合于低電壓應用，筆記本電腦電源管理和其他電池供電的電路，高側開關特征60V
臺產MOS管 STN4438 參數N60V 8.5A用于風扇原廠交貨快
STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述stn4438是N溝道增強型功率場效應晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應用，如電源管理和其他高側開關的電池供電電路。特征60V / 8.2A，RDS（ON）= 25毫歐（典型值）@ VGS = 10V60V / 7.6A，RDS（ON）＝3