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在中頻爐中整流側關斷時間采用KP-60微秒以內,逆變側關短時間采用KK-30微秒以內這也是KP管與KK管的主要區別進口晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門較G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。 晶閘管的工作條件: 1. 晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門較承受和種電壓,晶閘管都處于關短狀態。 2. 晶閘管承受正向陽極電壓時,僅在
IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高
IGBT檢測判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測量時,若某一較與其它兩較阻值為無窮大,調換表筆后該較與其它兩較的阻值仍為無窮大,則判斷此較為柵較(G )其余兩較再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發射較(E)。判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGB
晶閘管由硅單晶材料制成PN三端組件具有單向導通性、電壓和電流控制、小驅動(毫安級)控制大功率負載。由于其特點,常用于可控整流、逆變器、無觸點開關、交流壓力調節等方面。除了普通的晶閘管外,由于不同場合的使用要求,還產生了各種類型的晶閘管。普通晶閘管1.關閉晶閘管 KG普通晶閘管控制極限G加上普通晶閘管導通的正向觸發信號,控制較G為了關閉普通晶閘管,必須失去陽極A與陰極K正電壓為零或負電壓。只要控制較
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