詞條
詞條說明
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓可以做到同樣水
正確選擇富士IGBT的關(guān)鍵在于了解和確定以下幾個因素:額定電壓(Vce)和額定電流(Ic):根據(jù)實際應(yīng)用需求,確定所需的額定電壓和額定電流范圍,以確保所選富士IGBT能夠滿足工作條件。開關(guān)速度:根據(jù)應(yīng)用的開關(guān)頻率和響應(yīng)要求,選擇富士IGBT的開關(guān)速度,一般有標(biāo)準(zhǔn)、高速和超快三種類型可選。包裝類型:富士IGBT有各種不同的封裝形式,如插件型、表面貼裝型和模塊型等,根據(jù)設(shè)備的安裝和布局要求,選擇適合的
選擇使用IGBT時需要考慮以下幾個因素:電流和電壓要求:根據(jù)應(yīng)用需求確定所需的電流和電壓等級,確保選用的IGBT能夠承受和適應(yīng)工作條件下的電流和電壓。開關(guān)速度:根據(jù)應(yīng)用需要確定所需的開關(guān)頻率和響應(yīng)時間,選擇具有恰當(dāng)開關(guān)速度的IGBT,以確保它能夠在給定的操作頻率下正常工作,并滿足快速響應(yīng)的要求。功率損耗:考慮IGBT的導(dǎo)通和開關(guān)損耗,以確定在負(fù)載條件下所需的散熱能力和冷卻要求。低導(dǎo)通和開關(guān)損耗的I
什么是IGBT呢?IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor 的縮寫,即絕緣柵雙極型晶體管,是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命具代表性的產(chǎn)品,是工業(yè)控制及自動化領(lǐng)域能源變換和傳輸?shù)暮诵脑骷:唵蝸碚f,IGBT可以理解為“非通即斷”的開關(guān),它可以將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電,主要用于變頻逆變和其他逆變電路,被稱為是電力電子裝置的“CPU”。本公司產(chǎn)品收購原則
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 13128707396
手 機: +86 13128707396
微 信: +86 13128707396
地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
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