7MBP150TEA060-50 富士igbt芯片可控硅驅(qū)動(dòng)

時(shí)間：2022-11-04作者：上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司瀏覽：90

上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司專注于IGBT模塊,二極管,熔斷器,可控硅,晶閘管等

• 詞條

  詞條說明

• 熔斷器的使用注意事項(xiàng)

  (1) 熔斷器使用注意事項(xiàng)：①熔斷器的保護(hù)特性應(yīng)與被保護(hù)對(duì)象的過載特性相適應(yīng)，考慮到可能出現(xiàn)的短路電流，選用相應(yīng)分?jǐn)嗄芰Φ娜蹟嗥鳌＂谌蹟嗥鞯念~定電壓要適應(yīng)線路電壓等級(jí)，熔斷器的額定電流要大于或等于熔體額定電流。③線路中各級(jí)熔斷器熔體額定電流要相應(yīng)配合，保持**級(jí)熔體額定電流必須大于下一級(jí)熔體額定電流。④熔斷器的熔體要按要求使用相配合的熔體，不允許隨意加大熔體或用其他導(dǎo)體代替熔體。(2) 熔斷器巡視

• 熔斷器選擇的原則？

  1、根據(jù)線路要求和安裝條件選擇熔斷器的型號(hào)。容量小的電路選擇半封閉式或無填料封閉式；短路電流大的選擇有填料封閉式；半導(dǎo)體元件保護(hù)選擇快速熔斷器。2、根據(jù)負(fù)載特性選擇熔斷器的額定電流。3、選擇各級(jí)熔體需相互配合，后一級(jí)要比**級(jí)小，總閘和各分支線路上電流不一樣，選擇熔絲也不一樣。4、根據(jù)線路電壓選擇熔斷器的額定電壓。5、交流異步電機(jī)保護(hù)熔體電流不能選擇太小（建議2~2.5倍電機(jī)的額定電流）。如選擇過

• IGBT模塊使用中的注意事項(xiàng)？

  由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵較通過一層氧化膜與**較實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模

• IGBT模塊該怎樣去選擇呢？

  IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時(shí)，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。