CMOS工藝流程介紹

時間：2022-12-07作者：深圳海木芯科技有限公司瀏覽：318

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• 詞條

  詞條說明

• MEMS與傳統CMOS刻蝕與沉積工藝的關系

  1 MEMS 比 CMOS 的復雜之處MEMS 與 CMOS的根本區別在于：MEMS 是帶活動部件的三維器件，CMOS 是二維器件。因此，雖然許多刻蝕和沉積工藝相似，但某些工藝是 MEMS *有的，例如失效機理。舉個例子，由于 CMOS 器件沒有活動部件，因此不需要釋放工藝。正因為如此，當活動部件“粘”在表面上，導致設備故障時，就會產生靜摩擦，CMOS 沒有這種問題。CMOS 器件是在硅材料上逐層

• SOI CMOS結構和工藝

  常規的CMOS結構中，電源與地之間存在寄生的PNPN即SCR結構。當SCR被觸發時，電源到地之間存在低阻通道，引起較大電流，破壞電路工作甚至燒毀電路，這就是閂鎖效應 (Latch-up)。為避免閂鎖效應，早期采用SOS (Silicon On Sapphire) 技術制作CMOS電路，即在藍寶石絕緣襯底上外延硅，之后制作器件，這就有效的避免MOS管的源、漏區和襯底之間形成PN結。但是，藍寶石價格昂

• CCD 與CMOS 圖像傳感器區別在哪里？

  1、 成像過程 CCD 與CMOS 圖像傳感器光電轉換的原理相同，他們較主要的差別在于信號的讀出過程不同；由于CCD僅有一個（或少數幾個）輸出節點統一讀出，其信號輸出的一致性非常好；而CMOS 芯片中，每個像素都有各自的信號放大器，各自進行電荷-電壓的轉換，其信號輸出的一致性較差。但是CCD 為了讀出整幅圖像信號，要求輸出放大器的信號帶寬較寬，而在CMOS 芯片中，每個像元中的放大器的帶寬要求較低

• 漲價缺貨的野火，如今已擴散到CMOS晶片

  電子業系統廠缺貨缺怕了！從被動元件、硅晶圓、MOSFET等產能大缺，現在大家看到影子就開，就怕搶不到貨耽誤出貨，*大廠蘋果、華為等，在關鍵元件取得等仍有相對優勢，二線品牌則必須以更高價搶貨，使得價格愈漲愈高。漲價缺貨如今已擴散到CMOS晶片CMOS晶片也將成為繼被動元件、金氧半場效電晶體（MOSFET）等之后，又一鬧缺貨的關鍵電子元件。據閩臺媒體報道，漲價缺貨的野火如今已擴散到CMOS圖像感測元