供應 DPDW01 SOT23-6 絲印DW01 鋰電池保護芯片

時間：2021-08-19

作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司

詞條
詞條說明
原裝正品 MT40A512M8RH-083E:B 封裝FBGA-78 儲存器芯片IC
描述 DDR4sdram是一種高速動態(tài)隨機存取存儲器，其內(nèi)部配置為用于x16配置的8行DRAM和用于x4和x8配置的16行DRAM。DDR4sdram使用8n-預取架構(gòu)來實現(xiàn)高速操作。8n-預取體系結(jié)構(gòu)與一個接口相結(jié)合，該接口被設計用于在輸入/輸出引針的每個時鐘周期上傳輸兩個數(shù)據(jù)字。針對DDR4sdram的單個READ或?qū)懭氩僮靼ㄔ趦?nèi)部DRAM核心的單個8n位寬、四時鐘數(shù)據(jù)傳輸和在I/O針腳的
供應GS2988-INTE3 GS2988 QFN16封裝電纜驅(qū)動器芯原裝現(xiàn)貨
GS2988雙轉(zhuǎn)率，電纜驅(qū)動與3Gb/s能力功能SMPTE424M、SMPTE292M和SMPTE259M兼容支持在270Mb/s 支持數(shù)據(jù)速率從270Mb/s到2.97Gb/s寬公共模式范圍輸入緩沖區(qū)?100mV靈敏度?支持直流耦合到行業(yè)標準差分邏輯?芯片上100Ω差分數(shù)據(jù)輸入終端輸入信號跟蹤均衡差動同軸電纜驅(qū)動輸出?可選旋轉(zhuǎn)率? 可調(diào)輸出擺動從500mVpp到1800mVpp? 禁用控制
原裝正品 STM32F103VET6 LQFP-100 32位微控制器貼片嵌入式
描述 STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE性能系列包含高性能ARM? 皮質(zhì)?-M3 32位RISC內(nèi)核以72 MHz頻率運行，高速嵌入式內(nèi)存（閃存高達512 KB，SRAM高達64 KB），以及連接到兩條APB總線的各種增強型I/O和外圍設備。所有設備都提供三個12位ADC、四個通用16位定時器和兩個PWM定時器，以及標準和高級通信接口：最多兩個I2C、三個SPI
AP3407KTR-G1 DC-DC降壓芯片絲印GJA SOT23-5
一般說明 AP3407/A是一個1.4MHz的固定頻率、電流模式、PWM同步降壓（降壓）直流-直流轉(zhuǎn)換器，能夠驅(qū)動1.2A的負載，高效、線路優(yōu)良和負載調(diào)節(jié)。該設備集成了同步p通道和n通道MOSFET電源開關與低電阻。它是理想的供電，從單一的鋰離子電池的便攜式設備。一個標準系列的電感器可從幾個不同的制造商優(yōu)化使用的AP3407/A。這一特性大大簡化了開關模式電源的設計。 AP3407/A有SOT