【英飛凌IGBT模塊】IGBT工作特性

時間：2021-09-13

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條說明
【可控硅模塊】可控硅模塊怎么檢測好壞
可控硅模塊怎么檢測好壞1、單向可控硅的檢測。萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制較G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A和控制較G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅
德國西門康可控硅模塊型號有哪些？
晶閘管模塊也叫可控硅模塊，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，該器件被廣泛應用于各種電子設備和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。家用電器中的調光燈、調速風扇、空調機、電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機及工業控制等都大量使用了可控硅器件，德國西門康可控硅模塊代替一下型號：SKKT15/12(16)E(
單向可控硅模塊里的二極管是起什么作用?
1、防止反向電動勢沖擊單向可控硅模塊，導致損壞。2、可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled rectifier, SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。今天大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個
【英飛凌IGBT模塊】IGBT結構
IGBT結構N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構， N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩較之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有