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基本結構晶體管主要有雙較型晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)兩大類。以雙較型晶體管為例,它通常由三個半導體區域組成,分別是**區、基區和集電區。根據摻雜類型不同,雙較型晶體管分為NPN型和PNP型。NPN型晶體管是先有一個N型半導體(**區),中間是薄的P型半導體(基區),最后是N型半導體(集電區);PNP型晶體管則相反。場效應晶體管(FET)則分為結型場效應晶體管(JFET)和絕緣柵場效應
兆億微波(北京)科技有限公司各類放大器、混頻器、檢波器、限幅器、平衡器、光纖衛星產品、網絡安全產品和多工器、射頻電纜,連接頭,延遲線、高功率放大器,毫米波放大器、信號發生器,步進衰減器,頻率計數器,移相器等微波射頻器件。公司長期大量現貨品牌:Mini-Circuits,ADI,Marki等,也可為客戶提供配單服務。期待與您的相遇! ZGBDC20-33H+ZGBDC10-372HP+ZFM-4-S
電感是電路中常見的元件之一,具有一些特性和性質,主要包括:自感性:電感器中的線圈或導體在通過電流時會產生磁場,該磁場會導致線圈或導體內部產生感應電動勢,從而使電感器對電流變化有一定的阻礙作用。互感性:當兩個電感器或線圈相互靠近時,它們之間會產生互相感應的現象,即一個電感器的變化會影響另一個電感器中的電流或電壓。磁場儲能:電感器中的磁場能量可以儲存一定的能量,當電流變化時,磁場能量也會發生變化,從而
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