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可控硅壞的原因:1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個光潔的小孔,有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞他發生在芯片外圓倒角處,有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有
萬用表檢測普通二極管的襲極性與好壞。檢測原理:根據二極管的單向導電性這一特點性能良好的二極管,其正向電阻小,反向電阻大;這兩個數值相差越大越好。若相差不多說明二極管的性能不好或已經損壞。測量時,選用萬用表的“歐姆”擋。一般用R x100或R xlk擋,而不用Rx1或R x10k擋。因為Rxl擋的電流太大,容易燒壞二極管,R xlok擋的內電源電壓太大,易擊穿二極管.測量方法:將兩表棒分別接在二極管
# 整流橋的核心技術與應用價值整流橋作為電力電子領域的基礎元件,在各類電氣設備中扮演著至關重要的角色。其核心功能是將交流電轉換為直流電,為后續電路提供穩定的電源。現代整流橋技術已經發展出多種類型,每種都有其特定的應用場景和性能特點。高效能整流橋采用先進的半導體材料,具有極低的正向壓降和反向漏電流。這種設計顯著降低了能量損耗,提升了整體轉換效率。在高溫環境下,優質整流橋依然能夠保持穩定的工作狀態,這
1、保護方式不同熔斷器的保護方式是采用了熔斷形式,而當排除了故障現象之后是需要重新對它更換熔體才可以恢復供電,因此來講在維護時比較不太方便。斷路器的保護方式是采用了跳閘形式,在排除故障以后只需要通過合閘動作就能恢復正常供電,所以在維護和恢復上來講會比熔斷器方便許多。2、動作速度不同熔斷器的熔斷動作速度是可以達到微秒(μs)等級,也就是說它的速度相比較斷路器來講要快上很多,這種能力通常比較適用于有類
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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