Cryogenic Etch低溫蝕刻技術(shù)
- 時(shí)間：2025-11-24作者：成都中冷低溫科技有限公司瀏覽：3
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詞條
詞條說明
隨著人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用的爆發(fā)式增長(zhǎng)，對(duì)高性能、高容量?jī)?nèi)存的需求急劇上升。3D NAND閃存作為關(guān)鍵存儲(chǔ)技術(shù)，正通過增加堆疊層數(shù)來提升容量和性能，而低溫蝕刻技術(shù)成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的**創(chuàng)新。近日，**半導(dǎo)體設(shè)備成員競(jìng)相推動(dòng)3D NAND向1000層目標(biāo)邁進(jìn)。 一、AI時(shí)代驅(qū)動(dòng)內(nèi)存技術(shù)革新，3D NAND層數(shù)成關(guān)鍵??數(shù)據(jù)密集型AI應(yīng)用需要內(nèi)存技術(shù)實(shí)現(xiàn)重大突破，尤其是NA
隨著人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用的爆發(fā)式增長(zhǎng)，對(duì)高性能、高容量?jī)?nèi)存的需求急劇上升。3D NAND閃存作為關(guān)鍵存儲(chǔ)技術(shù)，正通過增加堆疊層數(shù)來提升容量和性能，而低溫蝕刻技術(shù)成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的**創(chuàng)新。近日，**半導(dǎo)體設(shè)備成員競(jìng)相推動(dòng)3D NAND向1000層目標(biāo)邁進(jìn)。 一、AI時(shí)代驅(qū)動(dòng)內(nèi)存技術(shù)革新，3D NAND層數(shù)成關(guān)鍵??數(shù)據(jù)密集型AI應(yīng)用需要內(nèi)存技術(shù)實(shí)現(xiàn)重大突破，尤其是NA
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