KRI 離子源用于鍍制1064nm窄帶濾光片激光膜

時間：2024-01-10

作者：伯東企業（上海）有限公司

詞條
詞條說明
氦質譜檢漏儀熱交換器檢漏
氦質譜檢漏儀熱交換器檢漏上海伯東德國 Pfeiffer 某客戶需要對體積 >1000L 的熱交換器進行檢漏, 熱交換器內部管子細長, 流導小, 需要盡可能的快速測試并要求清潔無油, 真空模式下, 熱交換器漏率要求 1x10-6 mbar l/s. 為了快速抽空, 選用輔助泵 + 氦質譜檢漏儀 ASM 390, 實現快速檢漏！熱交換器檢漏方法：配置: ASM 380 (新款 ASM 390)
HVA 高真空閘閥應用于 OLED 鍍膜機
因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。HVA?高真空閘閥應用于 OLED 鍍膜機OLED 鍍膜機主要面向半導體照明客戶, 需要鍍膜機性能穩定, 器件效率高, *,HVA?高真空閘閥應用一般科研用鍍膜機的基片尺寸在 4”和6”大小, 本底真空度要求達到 5*10-7mbar 或 5*10-8mbar, 這時需要配置分子泵系統或低溫泵
美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用
上海伯東某客戶在熱蒸發鍍膜機中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3
氦質譜檢漏儀 CVD 設備檢漏,滿足*三代半導體芯片量產
氦質譜檢漏儀?CVD 設備檢漏, 滿足*三代半導體芯片量產上海伯東某客戶是一家以**化合物半導體光電器件相關產品衍生智造為主業的創新型科技公司, **產品是物聯網, 5G 通訊, 安防監控等*三代半導體芯片. 芯片在生產過程中使用 CVD 設備做鍍膜處理, 在鍍膜過程中需要保持設備處于高真空狀態, 這就要求腔體的泄漏率不能過 1E-10 mbrl l/s.CVD?設備檢漏要