KRI 離子源用于離子束拋光機(jī)

時(shí)間：2024-01-10作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：70

伯東企業(yè)（上海）有限公司專注于pfeiffer,氦質(zhì)譜檢漏儀,inTEST等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

  硅薄膜作為薄膜太陽(yáng)能電池的材料越來(lái)越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問(wèn)題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及優(yōu)良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn).?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)控制, 因此經(jīng)過(guò)

• 氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實(shí)現(xiàn)金剛石膜制備

  氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實(shí)現(xiàn)金剛石膜制備微波等離子體化學(xué)氣相沉積法 Microwave Plasma CVD (MPCVD) 是目前**上被用于金剛石膜制備的公認(rèn)方法. MPCVD 裝置將微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波經(jīng)波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)進(jìn)入反應(yīng)器, 并通入甲烷與氫氣的混合氣體, 在微波的激發(fā)下, 在反應(yīng)室內(nèi)產(chǎn)生輝光放電, 使反應(yīng)氣體的分子離化, 產(chǎn)生等離子體, 在基板臺(tái)上沉積得到金剛石膜. 上海伯東某

• HVA 矩形閥 Load-lock 典型應(yīng)用

  因產(chǎn)品配置不同，價(jià)格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。HVA 矩形閥?Load-lock 典型應(yīng)用上海伯東某生產(chǎn)原生多晶矽料生產(chǎn)設(shè)備, 矽片加工設(shè)備, 晶體矽電池生產(chǎn)設(shè)備企業(yè), 使用美國(guó)?HVA 矩形閥用于真空機(jī)臺(tái)的 Load-lock工位, HVA 矩形閥安裝在 2X18 英寸規(guī)格內(nèi)的矽片生產(chǎn)線上, 起到輔助傳遞矽片, 隔離真空腔室的作用.矽片比較薄, 一般

• KRI 霍爾離子源應(yīng)用于黑膜鍍制

  ? ?? ? ?黑膜鍍制,?是指將入射到材料表面的光線,?包括紫外光、可見光、近紅外光以及中遠(yuǎn)紅外波段的光,?幾乎全部吸收而基本沒(méi)有反射的表面處理技術(shù).?高的吸收率使黑膜有著廣闊的應(yīng)用前景.?如可在精密光學(xué)儀器和光學(xué)零件、醫(yī)療儀器、航空航天、外觀裝飾品等產(chǎn)品上得到廣泛使用,?可大幅度提高產(chǎn)