上海伯東提供適用于薄膜太陽能電池生產的離子源和真空系統

時間：2024-01-10

作者：伯東企業（上海）有限公司

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HVA 真空閥門（真空閘閥）成功用于激光真空系統
激光是一種很奇妙的?”物質”,?是人類繼原子能、計算機和半導體之后人類的又一偉大發現.人們都知道,?激光亮度高,?可以達到太陽亮度的10億倍甚.激光純凈無比,?單色性好;?激光具有無比的準直性（直線傳播）;?而且,?激光的能量強大,?瞬間爆發的能量,?即使堅硬的物體也能夠被穿透、熔化.?因
KRi 大面積射頻離子源應用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統
上海伯東美國?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體, 導體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的部件,
HVA 真空插板閥（真空閥門）用于激光真空系統
因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。美國HVA帶孔真空插板閥（真空閥門）真空閘閥廣泛用于激光真空系統伯東公司代理美國HVA帶孔真空插板閥(Gate Valve)真空閥門廣泛用于激光真空系統HVA Gate Valve在激光真空系統上的應用伯東企業（上海）有限公司, 為美國HVA 真空閥門在中國境內的代理商, 并負責HVA Valve 真空閥門在中國地區的銷售
美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用
上海伯東某客戶在熱蒸發鍍膜機中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3