KRi 考夫曼離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用

時(shí)間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：110

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

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  上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)中配置美國(guó)?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進(jìn)行鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過(guò)同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3