氦質譜檢漏儀高溫真空燒結爐氣密性泄露檢測

時間：2023-04-12

作者：伯東企業（上海）有限公司

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HVA 高真空閘閥應用于 E-Beam 鍍膜機
因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。HVA 高真空閘閥應用于 E-Beam 鍍膜機E-Beam 電子束蒸發鍍膜機用于在半導體, 光學, **導材料等行業的研究與生產, 比如基片蒸發沉積金屬, 導電薄膜, 半導體薄膜, 鐵電薄膜, 光學薄膜和介質材料.E-Beam 鍍膜機設備組成:?系統主要由蒸發室, 電子, 進樣室 (可選) , 旋轉基片加熱臺, 工作氣
KRi 大面積射頻離子源應用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統
上海伯東美國?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體, 導體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的部件,
分子泵組應用于脈沖激光沉積系統 PLD
渦輪分子泵組應用于脈沖激光沉積系統?PLD脈沖激光沉積系統 PLD 可用來制備金屬和各種物質薄膜, 甚至還用來制備一些難以合成的材料膜. 為了提高 PLD 系統的真空度和加快抽空時間, 經過伯東選用分子泵+分子泵組串聯組合的形式來提高系統的真空度. 快達到其使用要求.渦輪分子泵組應用于脈沖激光沉積系統 PLD 客戶案例一: 上海伯東某客戶選用美國相干 Coherent 公司出產的 COM
KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜
硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導率、較高載流子遷移的電學性質及優良的光學穩定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領域的研究熱點.?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應的尾氣處理裝置, 有利于降低設備成本, 且工藝參數控制, 因此經過