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MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金屬氧化物合成半導體的場效應晶體管),屬于絕緣柵型。在金屬柵與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(高可達1015Ω)。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底(基板)與源S接在一起。?MOS場效應管檢
小功率CR52177SC:節能高效,性能穩定之優秀產品在眾多電池產品中,小功率CR52177SC以其獨特的優勢,成為了一款備受矚目的產品。其優秀的性能表現,使得它在眾多同類產品中脫穎而出,贏得了廣大用戶的青睞。首先,小功率CR52177SC的最大特點就是節能高效。它的低功耗設計,使得其在同等使用條件下,能夠比其他電池產品更長時間地維持工作狀態,大大減少了用戶的電量焦慮。對于那些需要長時間使用電池的
肖特基二管的內部結構肖特基(Schottky)二管也稱肖特基勢壘二管(簡稱SBD),是由金屬與半導體接觸形成的勢壘層為基礎制成的二管,其主要特點是正向導通壓降小(約0.45V),反向恢復時間短和開關損耗小,是一種低功耗、高速半導體器件。肖特基二管在結構原理上與PN結二管有很大區別,它的內部是由陽金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場消除材料、N-外延層(砷材料)、N型硅基片、
需負電源時盡量采用電荷泵:多數便攜儀器中都需要負電源,電流需求不大,采用電荷泵IC組成電壓反轉電路為簡單,若要求噪聲小或要求輸出穩壓時,可采用帶LDO線性穩壓器的電荷泵IC。避免選擇合適的IC芯片:一般來說電源IC的精度是±2%——±4%之間,有些精度高的可以達到±0.5%——±1%,合適的電源IC芯片不但可以減低成本而且還可以提升電路的穩定性,如果的你電路沒有用到關閉電源功能、開關電源結構中無微
公司名: 深圳市維品佳科技有限公司
聯系人: 陳小姐
電 話: 0755-83295855
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地 址: 廣東深圳福田區振中路鼎城國際大廈605
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