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氮化硅靶材:現(xiàn)代科技中的隱形英雄 氮化硅靶材在高科技制造領(lǐng)域扮演著關(guān)鍵角色。這種材料由氮和硅元素組成,具備獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),使其在半導(dǎo)體、光伏、顯示面板等行業(yè)中不可或缺。 氮化硅靶材的制備工藝直接影響其性能。通常采用熱壓燒結(jié)或化學(xué)氣相沉積(CVD)方法,確保材料的高純度和致密性。熱壓燒結(jié)通過高溫高壓使粉末顆粒緊密結(jié)合,而CVD則通過氣體反應(yīng)在基板上沉積氮化硅薄膜。兩種方法各有優(yōu)劣,熱壓燒結(jié)成
氧化鎂靶材:電子工業(yè)中的隱形功臣 在真空鍍膜領(lǐng)域,氧化鎂靶材扮演著關(guān)鍵角色。這種白色陶瓷材料具有獨(dú)特的晶體結(jié)構(gòu),當(dāng)它在真空環(huán)境下被高能粒子轟擊時(shí),會(huì)以分子形式均勻沉積在基板上,形成納米級薄膜。這種特性使其成為制造光學(xué)涂層、半導(dǎo)體元件和顯示面板的核心材料。 氧化鎂靶材最顯著的優(yōu)勢在于其優(yōu)異的介電性能。它的介電常數(shù)達(dá)到9.8,擊穿電壓超過10kV/mm,這種絕緣特性完美契合了薄膜晶體管的生產(chǎn)需求。在
銻化鋅靶材:半導(dǎo)體與光電領(lǐng)域的關(guān)鍵材料 銻化鋅靶材是一種重要的功能材料,在半導(dǎo)體、光電和太陽能電池等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。它的獨(dú)特性能使其成為薄膜沉積工藝中的理想選擇,尤其在制備高效率光電器件時(shí)表現(xiàn)出色。 銻化鋅(ZnSb)是一種典型的半導(dǎo)體化合物,具有優(yōu)良的熱電性能和光電轉(zhuǎn)換效率。作為靶材,它能夠在磁控濺射、脈沖激光沉積等工藝中形成高質(zhì)量的薄膜。這種薄膜在紅外探測、光伏電池和透明導(dǎo)電薄膜等領(lǐng)域發(fā)揮
氧化鋯靶材:高性能材料的核心秘密 氧化鋯靶材是薄膜沉積技術(shù)中的關(guān)鍵材料,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)鍍膜、太陽能電池等領(lǐng)域。它的高熔點(diǎn)、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性以及良好的機(jī)械強(qiáng)度,使其成為高端鍍膜工藝的首選。 高熔點(diǎn)與穩(wěn)定性 氧化鋯的熔點(diǎn)高達(dá)2700℃,遠(yuǎn)高于普通金屬氧化物,這使得它在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定。在濺射鍍膜過程中,靶材需要承受高能粒子的轟擊,而氧化鋯的耐高溫特性確保了鍍膜過程的穩(wěn)定性和均勻性。此外,
公司名: 東莞市鼎偉新材料有限公司
聯(lián)系人: 肖先生
電 話: 0769-88039551
手 機(jī): 18681059472
微 信: 18681059472
地 址: 廣東東莞東莞市南城區(qū)民間金融大廈
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