報(bào)廢晶片chipwafer大量處理

時(shí)間：2023-03-03作者：龐博電子有限公司（中國(guó)香港）瀏覽：101

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  硅晶片降級(jí)晶片廢品回收降級(jí)晶片 降級(jí)晶片 降級(jí)晶片 θM為產(chǎn)生TM的角度。兩相PM型或兩相HB型的步距角一致。根據(jù)上式，以及《步進(jìn)電機(jī)的基本特性：靜態(tài)、動(dòng)態(tài)、暫態(tài)轉(zhuǎn)矩特性》一問(wèn)中的式：θL=（2θM/π）arcsin（TL/TM）得知，負(fù)載轉(zhuǎn)矩TL決移角θL的大小。由于步進(jìn)電機(jī)的負(fù)載決定角位置，因此一定負(fù)載轉(zhuǎn)矩TL時(shí)，θL越小，角度精度越高。因此希望步進(jìn)電機(jī)靜態(tài)轉(zhuǎn)矩（保持轉(zhuǎn)矩）TM要大。連續(xù)測(cè)量T

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