（單管程序氧化爐）

時(shí)間：2014-10-22作者：青島福潤(rùn)德微電子設(shè)備有限公司瀏覽：97

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 擴(kuò)散爐

  擴(kuò)散爐由控制系統(tǒng)、進(jìn)出舟系統(tǒng)、爐體加熱系統(tǒng)和氣體控制系統(tǒng)等組成。 控制系統(tǒng) 控制部分包括：溫控器、功率部件、**溫保護(hù)部件、系統(tǒng)控制。 系統(tǒng)控制部分有四個(gè)獨(dú)立的計(jì)算機(jī)控制單元，分別控制每層爐管的推舟、爐溫及氣路部分，是擴(kuò)散/氧化系統(tǒng)的控制中心。 擴(kuò)散爐網(wǎng)絡(luò)控制 輔助控制系統(tǒng)，包括推舟控制裝置、保護(hù)電路、電路轉(zhuǎn)接控制、三相電源指示燈、照明、凈化及抽風(fēng)開(kāi)關(guān)等。 較**的擴(kuò)散爐控制系統(tǒng)均已較新或升級(jí)到微

• LPCVD設(shè)備

  LPCVD設(shè)備維修及應(yīng)用 低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備使用與維護(hù)技術(shù) LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導(dǎo)體光電器件工藝領(lǐng)域里的主要工藝之一。 PCVD技術(shù)可以提高淀積薄膜的質(zhì)量，使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺(tái)階覆蓋性好等優(yōu)點(diǎn)，成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設(shè)備使用過(guò)程中出現(xiàn)薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內(nèi)均勻性、片間均勻性不理想等問(wèn)題，提

• （單管程序氧化爐）

  ?單管氧化爐技術(shù)方案 ? ????????????? （單管程序氧化爐） ? ?????????????&n

• 石英領(lǐng)

  ?石英軟領(lǐng)為進(jìn)口石英纖維棉采用德國(guó)加工工藝制成，用于擴(kuò)散爐和PECVD設(shè)備中爐體和石英管之間的隔熱保溫，解決了以往用保溫棉存在的兩大問(wèn)題：一是保溫棉長(zhǎng)時(shí)間在高溫下出現(xiàn)粉化脫落從而影響工作腔體潔凈度，二是手動(dòng)堵塞保溫棉不均勻，影響工作區(qū)溫度穩(wěn)定性和均勻性。本產(chǎn)品可長(zhǎng)期使用在高溫下，不粉化，不變形，不硬化，不氧化，防震，防腐蝕。