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IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高
其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊,如圖4所示。電壓等級1200V,電流等級1200A。IGBT5本身具有高工作結溫的特點,可以達到175℃。為了充分發揮其高工作結溫特點,新一代PrimePACK?2封裝結合較新的.XT技術和新的設計方法,在保持上一代封裝尺寸的基礎上使得模塊電流輸出能力提升了33%。因此本實驗選用此高功率密度IGBT模塊,分別使用兩種驅動對
德國西門康可控硅你了解多少可控硅又稱晶閘管。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了電子元器件中**的一員,而目前交流調壓多采用雙向可控硅,它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優點,對提高生產效率和降低成本等都有顯著效果,但它也具有過載和抗干擾能力差,且在控制大電感負載時會干擾電網和自干擾等缺點,下面我們來談談可控硅在其使用中如何避免上述問題。一、 靈敏度雙向可控硅是一個三端元件,但我們不
晶閘管模塊也叫可控硅模塊,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,該器件被廣泛應用于各種電子設備和電子產品中,多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。家用電器中的調光燈、調速風扇、空調機、電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機及工業控制等都大量使用了可控硅器件,德國西門康可控硅模塊代替一下型號:SKKT15/12(16)E(
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
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