保險絲與熔斷器的區別

時間：2020-05-12

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條說明
【英飛凌IGBT模塊】IGBT結構
IGBT結構N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構， N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩較之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有
【英飛凌IGBT模塊】IGBT工作特性
IGBT工作特性靜態特性IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏較電流與柵較電壓之間的關系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區，則正反
可控硅模塊的工作原理是什么
可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態。此時，如果從控制較G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基較相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，于是BG1的集
英飛凌IGBT模塊檢測方法
英飛凌IGBT模塊檢測方法：測試方式：用萬用表只能測量，但不全面，若IGBT損壞一般可以測量出來，但是，若IGBT是好的，它無法肯定是好的。IGBT損壞標準：GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現二極管檔有讀數，即為損壞。（GE表示G接正表筆，E接負表筆；其它類同）IGBT的EC之間接有二極管，所以為導通狀態，電壓為0.34V左右。若想完整測試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1