一文讀懂IGBT模塊特點及技術發展趨勢

時間：2020-08-10作者：深圳市寶安區誠芯源電子商行瀏覽：2682

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• 詞條

  詞條說明

• 【回收三菱IGBT】IGBT選型四個基本要求

  1、安全工作區在安全上面，主要指的就是電的特性，除了常規的變壓電流以外，還有RBSOA（反向偏置安全工作區）和短路時候的保護。這個是開通和關斷時候的波形，這個是相關的開通和關斷時候的定義。我們做設計時結溫的要求，比如長期工作必須保證溫度在安全結溫之內，做到這個保證的前提是需要把這個模塊相關的應用參數提供出來。這樣結合這個參數以后，結合選擇的IGBT的芯片，還有封裝和電流，來計算產品的功耗和結溫，是

• 【回收富士IGBT】IGBT短路試驗

  IGBT短路試驗：首先明確一點，IGBT的短路和過流區別！IGBT短路分為一類短路和二類短路一類短路指直通雙橋壁的另一個IGBT，讓另一個IGBT導通，回路中雜散電感很小，nH的電感二類短路指回路中雜散電感很大，uH的電感，屬于過流！短路電感很小，電流上升很快，危害性很大，過流時，電流上升相對慢！當采用霍爾傳感器進行保護時，因為霍爾傳感器和濾波電路的延遲在ms量級，對于一類短路1us電流就能上升到

• 回收種類

  1、電磁閥類；2、磁性開關類；3、節流閥類；4、浮動接頭類；5、緩沖器類；6、氣缸類；7、真空發生器類；8、壓力開關類；9、調壓閥類；10、手動閥類；11、其它類。

• 一文讀懂IGBT模塊特點及技術發展趨勢

  IGBT的工作原理IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術