AOS/美國萬代 AON6482 AOS原裝優勢 MOS管

時間：2021-08-23

作者：深圳市南北行電子發展有限公司

詞條
詞條說明
SST39VF6401B-70-4C-EKE 39VF6401B FLASH存儲器全新原裝
SST39VF640xB設備是4Mx16CMOS多功能閃存+(MPF+)，采用SST專有的高性能CMOSSuperFlash技術制造。與替代方法相比，裂柵單元設計和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF6.6V電源的640xB寫入（程序或擦除）。這些設備符合對x16存儲器的JEDEC標準針腳分配。 SST39VF640xB設備具有高性能的字程序，提供了典型的字程序時間為7μs
原裝正品TK72E12N1 TO-220場效應管
TK72E12N1；iscn通道MOSFET晶體管特點·帶TO-220包裝 ·高速開關 ·極高的換向強度 ·易于使用 ·100%雪崩測試 ·最大限度地減少批次間的差異，實現穩健的設備性能和可靠的運行 ·應用程序 ·PFC階段 ·LCD&PDP電視 ·電源 ·交換應用 ·絕對最大額定值（Ta=25℃）符號參數值單位VDSS漏源電壓120 V VGSS柵源電壓±20 V ID漏電流-Continuo
BSR302N L6327 IR 全新原裝現貨供應
OptiMOS? 2小信號晶體管特征 ?N通道 ?增強模式 ?邏輯電平（4.5V） ?額定雪崩 ?與SOT23兼容的封裝外形 ?額定dv/dt ?無鉛電鍍；符合RoHS標準參數符號條件單元連續漏電流I D T A=25°C 3.7 A T A=70°C 2.9 脈沖漏極電流I D，脈沖T A=25°C 14.7 雪崩能量，單脈沖E，Id=3.7A，Rgs=25? 30兆焦耳反向二極管dv/
供應UP0109PSW8 液晶電源液晶芯片貼片SOP-8 原裝正品
uP0109是一個超低輟學線性調節器，專門設計為DDR存儲系統提供終端電壓。該設備設計與低電阻NMOSFETs，能夠下沉/采購高達2A輸出電流。該設備使用雙電源、控制電路的控制輸入和低至1.0V的電源輸入來提供輸出電流。輸出電壓被嚴格控制，以跟蹤20mV變化范圍內的參考電壓輸入，并進行快速到線/負載瞬態。其他功能包括芯片關機功能、軟啟動、片上熱保護和雙向限流保護。uP0109有PSOP-8L、