供應(yīng) ESD9B5VL-2/TR 絲印U.B 防靜電保護(hù)二極管 FBP-02C

時(shí)間：2021-08-19作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：90

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  詞條說明

• 原裝 SN74HC574DWR 74HC574NSR 74HC574PWR SN74HC574N 邏輯芯片

  SN74HC574DWR 規(guī)格信息： 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:觸發(fā)器 RoHS:是電路數(shù)量:8 邏輯系列:HC邏輯類型:D-Type Flip-Flop 極性:Non-Inverting輸入類型:CMOS 輸出類型:3-State傳播延遲時(shí)間:265 ns 高電平輸出電流:- 7.8 mA低電平輸出電流:7.8 mA 電源電壓-最小:2 V電源電壓-最大:6 V 最小

• AOS/美國(guó)萬代 AON6482 AOS原裝優(yōu)勢(shì) MOS管

  AON6482結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)與低電阻包，以提供極低的RDS(ON)。該設(shè)備是理想的升壓轉(zhuǎn)換器和同步整流器為消費(fèi)者、電信、工業(yè)電源和LED背燈。 A. 通過安裝在1英寸2FR-4板上，在TA=25的靜止空氣環(huán)境下測(cè)量RθJA的值°C.功耗PDSM基于RθJA，最大允許結(jié)溫度為150°C.任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定板設(shè)計(jì)，如果PCB允許，可使用最高溫度為175°C B.功耗P

• STM32F413VGT6 LQFP100 正品 微控制器MCU

  描述 STM32F413xG/H設(shè)備基于高性能Arm? 皮質(zhì)?-M4 32位RISC內(nèi)核，工作頻率高達(dá)100MHz。他們的大腦皮層?-M4內(nèi)核具有浮點(diǎn)單元（FPU）單精度，支持所有Arm單精度數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。它還實(shí)現(xiàn)了一整套DSP指令和一個(gè)內(nèi)存保護(hù)單元（MPU），增強(qiáng)了應(yīng)用程序的安全性。STM32F413xG/H設(shè)備屬于STM32F4接入產(chǎn)品線（產(chǎn)品結(jié)合了電源效率、性能和集成），同時(shí)添加了

• BSP250 貼片SOT-223 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 30V

  BSP250 P通道增強(qiáng)模式垂直D-MOS晶體管 具有高速開關(guān)，無二次故障，非常低的電阻。應(yīng)用于低損耗電機(jī)和執(zhí)行器驅(qū)動(dòng)器的電源開關(guān)。 描述SOT223塑料SMD封裝中的P通道增強(qiáng)模式垂直D-MOS晶體管。 根據(jù)絕對(duì)最大額定系統(tǒng)（IEC134）。 注1。脈沖寬度和占空比受最大結(jié)溫度的限制。 2.裝置安裝在環(huán)氧樹脂印刷電路板上，40×40×1.5mm；排水管的安裝墊至少6cm2。符號(hào)參數(shù)條件為最小值。