G4/G9小燈方案芯片OC5211、OC5213

時間：2024-06-29

作者：久宇盛電子（深圳）有限公司

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100w氮化鎵快充，180w氮化鎵-久宇盛電子
?氮化鎵是一種半導體材料，近年來在快充領域得到了廣泛的應用。與傳統的硅基半導體材料相比，氮化鎵具有高的電子遷移率和低的電阻，這使得它能夠承受高的電流密度和電壓，從而實現快的充電速度。現在，我們來看看你提到的兩種快充技術：1. 100w氮化鎵快充：這種快充技術采用了氮化鎵材料，能夠提供高達100瓦的充電功率。這意味著它能夠快速地為設備充電，縮短充電時間。相比傳統的快充技術，100w氮化
支持高低亮工作模式芯片，大功率LED燈泡芯片方案，OC5138
OC5138確實是一款支持高低亮工作模式的芯片，非常適合用于大功率LED燈泡的驅動方案。這款芯片內置了90V功率MOS，具有率和的特點，使得它成為大功率LED應用的理想選擇。 OC5138采用了固定頻率的PWM工作模式，其典型工作頻率為140KHz，這有助于實現穩定的LED亮度控制。同時，該芯片還采用了平均電流檢測模式，具有優異的負載調整率特性，可以在不同的工作條件下保持穩定的性能。在高低亮工作
90w氮化鎵，氮化鎵快充-久宇盛電子
氮化鎵（GaN）是一種新型半導體材料，它具有高電子遷移率、高擊穿電場和低導通電阻等出色的物理特性。這些特性使得氮化鎵在制造高效能、高功率密度的電子器件方面有著巨大的潛力。那么，當氮化鎵應用于快充技術時，它就可以幫助實現較高的充電功率和較快的充電速度。與傳統的硅基充電器相比，氮化鎵充電器能夠在相同體積和重量下提供較高的充電功率，同時還具有較高的能量轉換效率和較低的發熱量。至于90W氮化鎵快充，它
封裝外周圍元器件少的芯片，可采用大輸出電容啟動芯片，OC5864
OC5864是一款具有許多特性的芯片。它是一款內置功率MOSFET的單片降壓型開關模式轉換器，能在寬輸入電源范圍內實現穩定的峰值輸出電流，并具有出色的線電壓和負載調整率。此外，OC5864還集成了包括逐周期電流限制和熱關斷等保護功能，確保了芯片的穩定性和性。值得一提的是，OC5864的外圍元器件相對較少，這使得它在封裝和布局上為簡潔，有助于減少整體電路的復雜性和提高性。同時，該芯片還支持采用大輸