徐州恒霄電子科技有限公司LPCVD 技術(shù)原理與基礎(chǔ)機(jī)制

時(shí)間：2025-07-15

作者：徐州恒霄電子科技有限公司

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徐州恒霄電子科技有限公司LPCVD 技術(shù)原理與基礎(chǔ)機(jī)制
LPCVD 技術(shù)是在 10-1000Pa 的低壓環(huán)境中，通過氣態(tài)反應(yīng)物在加熱基片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)固態(tài)薄膜沉積的工藝。其**原理包含四個(gè)關(guān)鍵步驟：首先是氣體輸運(yùn)，將硅烷、氨氣、一氧化二氮等反應(yīng)氣體精準(zhǔn)引入反應(yīng)腔室，為反應(yīng)提供物質(zhì)基礎(chǔ)；其次是表面吸附，在 400-800℃的基片表面，氣體分子經(jīng)物理與化學(xué)吸附形成吸附層，這是反應(yīng)的前置條件；接著是化學(xué)反應(yīng)，高溫下吸附的氣體分子分解或相互反應(yīng)，生成二

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