聚焦離子束顯微鏡FIB應(yīng)用

時間：2020-03-25作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：158

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  詞條說明

• PCB失效分析方法

  PCB失效分析方法 該方法主要分為三個部分，將三個部分的方法融匯貫通，不僅能幫助我們在實際案例分析過程中能夠快速地解決失效問題，定位根因；還能根據(jù)我們建立的框架對新進(jìn)工程師進(jìn)行培訓(xùn)，方便各部門借閱學(xué)習(xí)。 下面就分析思路及方法進(jìn)行講解，首先是分析思路； 第一步：失效分析的“五大步驟” 失效分析的過程主要分為5個步驟：“①收集不良板信息→②失效現(xiàn)象確認(rèn)→③失效原因分析→④失效根因驗證→⑤報告結(jié)論，改善

• 芯片測試現(xiàn)狀分析

  失效分析就是要分析損壞的產(chǎn)品從而為改進(jìn)設(shè)計或明確責(zé)任提供素材的工作。但是從行業(yè)來看，目前很多公司特別是中小型公司的失效分析做的并不好。 中國有句俗話叫：“吃一塹，長一智”，《論語》中也有“**過”的說法。其本質(zhì)就是要從失敗中吸取教訓(xùn)避免進(jìn)一步的犯錯。 一方面，一些中小型電子產(chǎn)品生產(chǎn)商沒有良好的物料控制體系，不能對物料進(jìn)行有效的追溯。一旦出了問題，很難查到當(dāng)年的渠道和來源。甚至不能保證物料的真?zhèn)巍］^

• 聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離

• 手動探針臺廠家介紹

  儀準(zhǔn)科技有限公司是一家專業(yè)的半導(dǎo)體分析設(shè)備的整合商，產(chǎn)品涵蓋半導(dǎo)體、LCD (TFT)、LED、太陽能等高科技領(lǐng)域。 近年來，金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)已經(jīng)成為切換電源的主要功率元件，從場效應(yīng)晶體管 (FET)、雙極性結(jié)式晶體管(BJT)、MOSFET、到絕緣閘較雙較晶體管(IGBT)，現(xiàn)在出現(xiàn)了氮化鎵(GaN)，可讓切換電源的體積大幅縮小。 例如，納微半導(dǎo)體(Navitas)推出