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作為研發較怕遇到的事情之一就是芯片失效的問題,好端端的芯片突然異常不能正常工作了,很多時候想盡辦法卻想不出問題在哪。的確,芯片失效是一個非常讓人頭疼的問題,它可能發生在研發初期,可能發生在生產過程中,還有可能發生在終端客戶的使用過程中。造成的影響有時候也非常巨大。 芯片失效的原因多種多樣,并且它的發生也無明顯的規律可循。那么有沒有一些辦法來預防芯片失效的發生呢?這里會通過案例來思考下可以通過哪些方
白話芯片漏電定位方法科普 原創 儀準科技 王福成 轉載請寫明出處 芯片漏電是失效分析案例中較常見的,找到漏電位置是查明失效原因的前提,液晶漏電定位、EMMI(CCD\InGaAs)、激光誘導等手段是工程人員經常采用的手段。多年來,在中國半導體產業有個誤區,認為激光誘導手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(laser scan Microscope). 目前激光誘導功能在業內普遍被采
失效分析fib 1.IC芯片電路修改 用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便更快更準確的驗證設計方案。 若芯片部份區域有問題,可通過FIB對此區域隔離或改正此區域功能,以便找到問題的癥結。 FIB還能在較終產品量產之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計方案修改次數,縮短研發時間和周期。 2.Cro
失效分析FA常用工具介紹;透射電鏡(TEM);TEM一般被使用來分析樣品形貌(morholog;與TEM需要激發二次電子或者從樣品表面發射的電子;然后用這種電子束轟擊樣品,有一部分電子能穿透樣品;對于晶體材料,樣品會引起入射電子束的衍射,會產生;對于TEM分析來說*為關鍵的一步就是制樣;集成電路封裝的可靠性在許多方面要取決于它們的機械;俄歇電子(AgerAna 失效分析常用工具介紹 透射電鏡(TE
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