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詞條說明
IGBT結構N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構, N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源較(即**較E)。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵較(即門較G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側的P+區(qū)稱為漏注入區(qū)(Drain injector),它是IGBT特有
可控硅結構大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極〔圖2(a)〕:**層P型半導體引出的電極叫陽極A,*三層P型半導體引出的電極叫控制較G,*四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到,它和二極管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制較G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基
保險絲是較簡單的保護裝置之一。在農村,配電變壓器的高低壓側設置熔斷器作為短路保護,防止短路電流對變壓器的破壞。此外,各種動力照明裝置常采用熔斷器作為短路故障或連續(xù)過載保護裝置。當電流**過較**,熔斷器借助熔體破壞電路。它是一種過負荷和短路保護的電器,較大的特點是結構簡單、體積小、重量輕、使用維護方便、價格低廉、可靠性高,具有很大的實用**和經濟意義。保險絲是一種簡單有效的保護用具,在電路中主要起短
二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性,在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結,在其界面處兩側形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電
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