【英飛凌IGBT模塊】IGBT簡介

時間：2021-09-13

作者：上海秦邦電子科技有限公司

15995613456

詞條
詞條說明
【二極管模塊】二極管的結構組成
二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件? 。它具有單向導電性能，?即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時，二極管導通。?當給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管截止。?因此，二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開。二極管是較早誕生的半導體器件之一，其應用非常廣泛。特別是在各種電子電路中，利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進行合理的連接，構成
【英飛凌IGBT模塊】IGBT工作特性
IGBT工作特性靜態特性IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏較電流與柵較電壓之間的關系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區，則正反
【德國西門康可控硅】可控硅結構
可控硅結構大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2(a）〕：**層P型半導體引出的電極叫陽極A，*三層P型半導體引出的電極叫控制較G，*四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制較G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基
進口晶閘管的工作原理
在中頻爐中整流側關斷時間采用KP-60微秒以內，逆變側關短時間采用KK-30微秒以內這也是KP管與KK管的主要區別進口晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門較G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件： 1. 晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門較承受和種電壓，晶閘管都處于關短狀態。 2. 晶閘管承受正向陽極電壓時，僅在