【可控硅模塊】可控硅模塊特點(diǎn)

時(shí)間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：818

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國(guó)西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

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• 二極管和二極管模塊有什么區(qū)別

  二極管和二極管模塊有什么區(qū)別二極管算是半導(dǎo)體家族中的元老了，早在**次世界大戰(zhàn)末期就已出現(xiàn)晶體檢波器，從1930年開始，半導(dǎo)體整流器開始投入市場(chǎng)。二極管模塊分為：快恢復(fù)二極管模塊，肖特基二極管模塊，整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。而二極管和二極管模塊主要區(qū)別是功率、速度和封裝不同。二級(jí)管一般指電流、電壓、功率比較小的單管，一般電流在幾個(gè)安培以內(nèi)，電壓較高1000多V，但是反向恢復(fù)素很快，只有

• 可控硅調(diào)壓模塊的幾種應(yīng)用電路

  可控硅調(diào)壓模塊的幾種應(yīng)用電路可控硅 是一種功率半導(dǎo)體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機(jī)控制系統(tǒng)中，可作為功率驅(qū)動(dòng)器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓?jiǎn)栴}，控制電路簡(jiǎn)單，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強(qiáng)電網(wǎng)絡(luò)中，其觸發(fā)電路的抗干擾問題很重要，通常都是通過光電耦合器將單片機(jī)控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號(hào)加載到可控硅的控制較。為減小驅(qū)動(dòng)功率和可控硅觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生的干擾

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT簡(jiǎn)介

  IGBT簡(jiǎn)介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙較型晶體管，是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上

• 高功率密度IGBT模塊FF1200R12IE5測(cè)試？

  其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊，如圖4所示。電壓等級(jí)1200V，電流等級(jí)1200A。IGBT5本身具有高工作結(jié)溫的特點(diǎn)，可以達(dá)到175℃。為了充分發(fā)揮其高工作結(jié)溫特點(diǎn)，新一代PrimePACK?2封裝結(jié)合較新的.XT技術(shù)和新的設(shè)計(jì)方法，在保持上一代封裝尺寸的基礎(chǔ)上使得模塊電流輸出能力提升了33％。因此本實(shí)驗(yàn)選用此高功率密度IGBT模塊，分別使用兩種驅(qū)動(dòng)對(duì)