二極管和二極管模塊有什么區別

時間：2022-08-19

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條說明
【德國西門康可控硅】可控硅特性
可控硅特性常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路，等等。可控硅的主要參數有：1、額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF 在控制較開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未**過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能**
可控硅模塊分類
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合
【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理
IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高
【德國西門康可控硅】可控硅結構
可控硅結構大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2(a）〕：**層P型半導體引出的電極叫陽極A，*三層P型半導體引出的電極叫控制較G，*四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制較G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基