可控硅模塊分類

時(shí)間：2021-04-16作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：505

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國(guó)西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 【二極管模塊】二極管結(jié)構(gòu)組成

  二極管結(jié)構(gòu)組成二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。?采用不同的摻雜工藝，通過(guò)擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。??由P區(qū)引出的電極稱為陽(yáng)極，N區(qū)引出的電極稱為陰極。因?yàn)镻N結(jié)的單向?qū)щ娦裕O管導(dǎo)通時(shí)電流方向是由陽(yáng)極通過(guò)管子內(nèi)部流向陰極。?[4]&nbs

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT簡(jiǎn)介

  IGBT簡(jiǎn)介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙較型晶體管，是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上

• 常用的熔斷器有哪些分類？

  （1）插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級(jí)的線路末端，作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護(hù)用。?（2）螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器，一旦熔體熔斷，指示器馬上彈出，可透過(guò)瓷帽上的玻璃孔觀察到，它常用于機(jī)床電氣控制設(shè)備中。螺旋式熔斷器。分?jǐn)嚯娏鬏^大，可用于電壓等級(jí)500V及其以下、電流等級(jí)200A以下的電路中，作短路保護(hù)。?（3）封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器

• 熔斷器要怎么選？

  1.熔斷器類型的選用根據(jù)使用環(huán)境、負(fù)載性質(zhì)和短路電流的大小選用適當(dāng)類型的熔斷器。例如，對(duì)于容量較小的照明電路，可選用RT系列圓筒帽型熔斷器；相對(duì)于短路電流相當(dāng)大或有易燃?xì)怏w的地方，應(yīng)選用RT系列有填料密封管式熔斷器；在機(jī)床控制電路中，多選用RL系列螺旋式熔斷器；用于半導(dǎo)體功率元件及晶閘管的保護(hù)時(shí)，應(yīng)選用RS或RLS系列快速熔斷器。2.熔斷器額定電壓和額定電流的選用熔斷器的額定電壓必須不小于電路的額