【進(jìn)口吸收電容】薄膜電容的吸收系數(shù)

時(shí)間：2025-08-28作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：1307

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  詞條說明

• 整流橋原理及其檢測方法

  整流橋原理及其檢測方法整流橋原理整流橋堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋，全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的。全橋的正向電流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多種規(guī)格，耐壓值（最高反向電壓）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多種規(guī)格。選

• 檢驗(yàn)變頻器整流橋模塊廠家好壞的方法

  整流橋模塊廠家（m.qiwodz.b2b168.com）按照以往的生產(chǎn)操經(jīng)驗(yàn)大概有如下幾種可以可以快速檢驗(yàn)出整流橋模塊的好壞；1、先測試逆變電路是否有問題，方法如下：將紅表棒接到P端,黑表棒分別接U、V、W上，應(yīng)該有幾十歐的阻值，且各相阻值基 本相同，反相應(yīng)該為無窮大。將黑表棒接到N端，重復(fù)以上步驟應(yīng)得到相同結(jié)果，否則 可確定逆變模塊故障2.再測試整流電路，方法如下：找到變頻器內(nèi)部直流電源的P端和

• 【英飛凌IGBT銷售】IGBT結(jié)構(gòu)

  一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有的功能區(qū)

• 【二極管模塊】快恢復(fù)二極管和快恢復(fù)二極管模塊有什么區(qū)別？

  二者都是反向恢復(fù)很快的二極管，主要區(qū)別是功率、速度和封裝不同快恢復(fù)二極管一般指電流、電壓、功率比較小的單管，一般電流幾個(gè)安培以內(nèi)，電壓最高1000多V，但是反向恢復(fù)素的很快，只有幾個(gè)ns至幾十個(gè)ns，用在小功率開關(guān)電源做輸出整流，或需要頻繁開關(guān)的場合，器封裝一般是塑封、玻璃封裝、陶瓷封裝等，很小，例如UF4007快恢復(fù)二極管模塊指封裝成模塊的二極管，功率較大，幾十、幾百安培，主要用于整流，在大功率