2019"熔斷器技術(shù)與應(yīng)用”論壇圓滿舉辦

時(shí)間：2019-10-29作者：東莞市寰達(dá)電子有限公司瀏覽：216

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• 詞條

  詞條說明

• 高壓熔斷器的實(shí)際維護(hù)保養(yǎng)方式

  1，務(wù)必選用靠譜生產(chǎn)廠家生產(chǎn)制造的規(guī)范熔體，禁止用銅或鋁絲替代熔體應(yīng)用，更不容許用銅線將斷路器捆扎住； 2，高壓熔斷器的安裝品質(zhì)是不是考慮技術(shù)規(guī)范規(guī)定、熔管安裝視角是不是有25度上下往下傾角； 3，熔體融斷后應(yīng)拆換新的同規(guī)格型號熔體，不能將融斷后的熔體聯(lián)接起來又裝進(jìn)熔管中再次應(yīng)用。 4，應(yīng)按時(shí)對高壓熔斷器開展巡查，晚間巡查可發(fā)覺有沒有放天藍(lán)色火花放電，若有放電狀況會(huì)伴隨嘶嘶的放電聲響造成。 5，應(yīng)

• 先試后買的高效節(jié)能電源設(shè)計(jì)方法

  圖1：柵極驅(qū)動(dòng)評估平臺(tái)包括主板、兩個(gè)插件柵極驅(qū)動(dòng)器模塊，以及支持高達(dá)5千瓦輸出功率的散熱器和風(fēng)扇。 碳化硅MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻，可以在開關(guān)狀態(tài)之間快速地來回切換。因此，它們比絕緣柵雙極晶體管（IGBT）消耗的功率小得多，IGBT具有較慢的關(guān)斷速度和較高的關(guān)斷開關(guān)功率損耗。此外，碳化硅的寬帶隙使碳化硅器件能夠在高壓下工作。相反，硅基MOSFET不能同時(shí)實(shí)現(xiàn)高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻。因此，碳

• 2019"熔斷器技術(shù)與應(yīng)用”論壇圓滿舉辦

  4月18日，由西安交通大學(xué)倡導(dǎo)，全國熔斷器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)秘書處主辦，西安中熔電氣承辦的第一屆“熔斷器技術(shù)與應(yīng)用“論壇在西安圓滿舉辦。 作為國內(nèi)首個(gè)熔斷器領(lǐng)域的專業(yè)化論壇，本次論壇特邀請12位行業(yè)專家及百名國內(nèi)外著名企業(yè)代表、應(yīng)用客戶、大學(xué)、研究所齊聚一堂，圍繞熔斷器產(chǎn)品 技術(shù)的發(fā)展、應(yīng)用及標(biāo)準(zhǔn)化等議題在會(huì)議上作了主題報(bào)告。 首先，出席本次論壇的全國熔斷器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)主任委員季慧玉致開幕辭，并