美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應用
- 時間：2024-01-12作者：伯東企業（上海）有限公司瀏覽：72
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詞條
詞條說明
伯東代理的美國?HVA?真空閥門成功應用于中國研制的亞洲大的粒子系統.??HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標準技術規格:??閥門材質:?-?閥門主體?304?不銹鋼?-?焊接波紋管軸封?AM - 350?閥門密封方式&nb
上海伯東美國?KRi 考夫曼 RF 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 ?IBD 離子束沉積是其典型的應用.KRi?離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應用通常安裝兩個離子源主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性
某品牌?Sputtering + E-Beam PVD?鍍膜機系統采用?HVA?真空閥門?11000, HVA?真空閥門安裝在分子泵口便于泵的檢修,同時外系統停機時不破壞系統真空,?只要對泵內部進行破真空即可.E-Beam?鍍膜機設備組成:?系統主要由蒸發室,?電子,?進樣室
上海伯東美國?HVA 真空閥門選型實例產品系列特點口徑HVA 真空閘閥 11000 系列介面, 控制方式全包括DN 16 到 DN 600HVA 真空層流閘閥 13000系列防腐蝕DN 40 到 DN 300HVA 真空層流閘閥 16000系列防顆粒污染DN 40 到 DN 350HVA 矩形閥 21200 系列長使用壽命DN 16 到 DN 300HVA 3位真空閘閥 21700系列
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