KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜

時間：2024-01-12

作者：伯東企業（上海）有限公司

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詞條說明
HVA 高真空閘閥應用于 E-Beam 鍍膜機
因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。HVA 高真空閘閥應用于 E-Beam 鍍膜機E-Beam 電子束蒸發鍍膜機用于在半導體, 光學, **導材料等行業的研究與生產, 比如基片蒸發沉積金屬, 導電薄膜, 半導體薄膜, 鐵電薄膜, 光學薄膜和介質材料.E-Beam 鍍膜機設備組成:?系統主要由蒸發室, 電子, 進樣室 (可選) , 旋轉基片加熱臺, 工作氣
HVA 矩形閥 Load-lock 典型應用
因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。HVA 矩形閥?Load-lock 典型應用上海伯東某生產原生多晶矽料生產設備, 矽片加工設備, 晶體矽電池生產設備企業, 使用美國?HVA 矩形閥用于真空機臺的 Load-lock工位, HVA 矩形閥安裝在 2X18 英寸規格內的矽片生產線上, 起到輔助傳遞矽片, 隔離真空腔室的作用.矽片比較薄, 一般
KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應用
上海伯東美國?KRi 考夫曼 RF 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積和 ?IBD 離子束沉積是其典型的應用.KRi?離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應用通常安裝兩個離子源主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性
KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備
??紅外截止濾光片?(IRCF)?是利用精密光學鍍膜技術在光學基片上交替鍍上高低折射率的光學膜,?實現可見光區（400nm-630nm）高透,?近紅外（700nm-1100nm）截止的光學濾光片,?主要應用于可拍照手機攝像頭、電腦內置攝像頭、汽車攝像頭和安防攝像頭等數碼成像領域,?用于紅外光線對?CCD/CM