KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜

時間：2024-01-12作者：伯東企業（上海）有限公司瀏覽：85

伯東企業（上海）有限公司專注于pfeiffer,氦質譜檢漏儀,inTEST等

• 詞條

  詞條說明

• 上海伯東普發 Pfeiffer 售后維修服務

  上海伯東普發 Pfeiffer?售后維修服務"?無論您想調試新的真空系統, 故障排除, 維護保養還是維修, 上海伯東都能為您提供全面的支持并在較短的時間內做出響應! "伯東企業（上海）有限公司是德國普發真空 Pfeiffer Vacuum? 授權代理商, 隸屬于伯東株式會社, 外國法人資, 集團年營業額過 10 億美金. 上海伯東自 1995年成立以來, 

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

  硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導率、較高載流子遷移的電學性質及優良的光學穩定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領域的研究熱點.?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應的尾氣處理裝置, 有利于降低設備成本, 且工藝參數控制, 因此經過

• 氦質譜檢漏儀熱交換器檢漏

  氦質譜檢漏儀熱交換器檢漏上海伯東德國 Pfeiffer 某客戶需要對體積 >1000L 的熱交換器進行檢漏, 熱交換器內部管子細長, 流導小, 需要盡可能的快速測試并要求清潔無油, 真空模式下, 熱交換器漏率要求 1x10-6 mbar l/s. 為了快速抽空, 選用輔助泵 + 氦質譜檢漏儀 ASM 390, 實現快速檢漏！熱交換器檢漏方法：配置: ASM 380 (新款 ASM 390)

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜

  立方氮化硼（cBN）由于具有高的硬度/ 好的化學惰性/ 較好的熱穩定性/ 高的熱導率/ 在寬波長范圍內(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導體等特點, 在切削工具/ 材料/ 光學元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和絕緣涂覆層等方面具有很大的應用潛力.?在對立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用