分子泵組應用于紅外原位分析平臺

時間：2024-01-12

作者：伯東企業（上海）有限公司

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詞條說明
KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應用
上海伯東美國?KRi 考夫曼 RF 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積和 ?IBD 離子束沉積是其典型的應用.KRi?離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應用通常安裝兩個離子源主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性
KRi 大面積射頻離子源應用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統
上海伯東美國?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體, 導體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的部件,
美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用
上海伯東某客戶在熱蒸發鍍膜機中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3
KRI 離子源用于離子束拋光機
?? ? 離子束拋光適用于大面積、異型、特殊材料等加工對象的非接觸式修形及拋光,?精度可達亞納米級,?被譽為拋光.?離子束拋光機的部件是可聚焦的高能量離子源.?上海伯東某客戶為精密光學元器件設備制造商,?主要產品為離子束拋光機、磁流變拋光機等,?提供精密光學工藝制造研發服務,?是一家精密光學元器件解