熔斷器供應商告訴你熔斷器原理與作用

時間：2020-11-24

作者：蘇州徳昇锘電子科技有限公司

詞條
詞條說明
igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構成的功率模塊
由于igbt模塊為mosfet結構，igbt的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機，變頻器，變頻家電等領域。?igbt是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例s
可控硅的作用介紹及檢測方法
1. 可控硅的特性。可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰
可控硅調速原理
可控硅調速是用改變可控硅導通角的方法來改變電機端電壓的波形,從而改變電機端電壓的有效值,達到調速的目的。當可控硅導通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導通狀態;當可控硅導通角<180時,即非全導通狀態,電壓有效值減小;導通角越小,導通狀態越少,則電壓有效值越小,所產生的磁場越小,則電機的轉速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調速其電機的轉速可連續調節。CPU⑥腳輸出的驅動信號經Q5放
4500V/6500V IGBT模塊產品額定電流為250A至1200A
4500V/6500V IGBT模塊產品支持不同拓撲結構的IGBT模塊，額定電流為250A至1200A?4500V/6500V IGBT模塊產品采用新型外殼封裝的大功率IGBT模塊設計旨在覆蓋3.3kV到6.5kV的全電壓范圍。新型封裝的產品預計將主要應用在工業級驅動、牽引、可再生能源和電力傳輸等領域。IHM / IHV系列涵蓋了所有可能的逆變器功率大小，支持單開關模塊、半橋模塊、斬波器