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氧化鎵靶材:半導體制造的新寵氧化鎵靶材正在成為半導體行業的新焦點,這種高純度材料在薄膜沉積工藝中展現出獨特優勢。作為第四代半導體材料的關鍵組成部分,氧化鎵靶材的物理化學特性決定了其在功率電子器件領域的應用前景。氧化鎵靶材最顯著的特點是超寬禁帶寬度,達到4.8-4.9eV,遠高于硅的1.1eV和碳化硅的3.3eV。這一特性使其能夠承受更高電壓和溫度,特別適合制造高壓、大功率電子器件。在射頻器件和功
湛江鉻靶材批發價格作為生產高屬材料、蒸發鍍膜材料和濺射靶材的公司,我們自豪地介紹我們的鉻靶材產品線。鉻靶材作為一種重要的功能材料,在科研和工業領域扮演著至關重要的角色。鉻靶材以其**的性能和廣泛的應用領域,在半導體制造、光學鍍膜、磁盤制造等行業中扮演著關鍵的角色。鉻靶材是由鉻元素制成的,鉻本身具有高硬度、高熔點和抗氧化性能。這些特性使得鉻靶材在多種應用中表現出色。在光學鍍膜領域,鉻靶材能夠制備出反
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碳化硅靶材:半導體行業的新寵 碳化硅靶材在半導體制造中扮演著重要角色,其獨特的性能使其成為高端芯片和功率器件的關鍵材料。相比傳統硅基材料,碳化硅具有更高的熱導率、更強的耐高溫能力以及更優異的化學穩定性,因此在高溫、高頻、高功率電子設備中表現突出。 碳化硅靶材的制備工藝復雜,通常采用化學氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)技術,以確保高純度和均勻性。其中,CVD法制備的碳化硅靶材純度高、結晶性
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