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失效分析是一門發(fā)展中的新興學(xué)科,近年開始從**向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機理的活動。在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開發(fā)、改進,產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義。其方法分為有損分析,無損分析,物理分析,化學(xué)分析等。 原理 失效機制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過程。此過程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失
儀準(zhǔn)科技*生產(chǎn)的微光顯微鏡,失效分析設(shè)備,失效分析實驗室建設(shè) 就半導(dǎo)體元器件故障失效分析而言,微光顯微鏡EMMI是一種相當(dāng)有用且效率較高的分析工具。主要偵測IC內(nèi)部所放出光子。在IC元件中,EHP(Electron Hole Pairs) Recombination會放出光子(Photon)。 舉例說明:在P-N 結(jié)加偏壓,此時N阱的電子很*擴散到P阱,而P的空穴也*擴散至N然後與P端的
芯片行業(yè)的困境 過去幾十年,在摩爾定律的指導(dǎo)下,芯片中的晶體管數(shù)量大約每兩年翻一番。晶體管的微縮技術(shù)革新增加了晶體管的密度。摩爾定律在20世紀(jì)60年代**被發(fā)現(xiàn),并一直延續(xù)到2010年代,至此以后,晶體管密度的發(fā)展開始放緩。如今,主流芯片包含了數(shù)十億個晶體管,但如果摩爾定律能夠繼續(xù)按照當(dāng)時的速度發(fā)展下去,它們的晶體管數(shù)量將是現(xiàn)在的15倍。 每一代晶體管密度的增加,被稱為“節(jié)點”。每個節(jié)點對應(yīng)于晶體
失效分析技術(shù),失效分析實驗室,失效機制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過程。此過程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機制時,通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手,進而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。在研究批量性失效規(guī)律時,常用數(shù)理統(tǒng)計方法,構(gòu)成表示失效機制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經(jīng)濟損失之間關(guān)系的排列圖或帕雷托圖,以找出必須首先解決的主要失效機制、方位和部位。任一產(chǎn)品
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
電 話: 01082825511-869
手 機: 13488683602
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地 址: 北京海淀中關(guān)村東升科技園
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