半導體芯片失效分析

時間：2020-07-10

作者：儀準科技（北京）有限公司

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聚焦離子束FIB詳細介紹
聚焦離子束FIB詳解 1.引言隨著納米科技的發展，納米尺度制造業發展*，而納米加工就是納米制造業的**部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚焦離子束（FIB）技術利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數電子顯微鏡實時觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理聚焦離子束(ed
封裝點膠工藝的改進半導體技術公益課堂
半導體技術公益課堂題目: 半導體封裝點膠工藝的改進簡介: 1.目前市面上的主流點膠方式 2.主流點膠的優缺點 3.新興點膠方式（壓電技術）應用 4.壓電點膠應用的優缺點時長: 30分鐘主講人: 江蘇高凱精密流體技術股份有限公司-謝靜主要從事半導體封裝行業點膠技術的改進時間 : 2020年4月12日（周日）下午3點北軟檢測智能產品檢測實驗室于2015年底實施運營，能夠依據**、
FIB/SEM/EDX技術指標
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離
微電子失效分析方法總結
微電子失效分析方法總結失效分析趙工 1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內部的晶格結構，雜質顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內部位移的分析；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數：標準檢測分