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IGBT簡介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上
可控硅結構大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極〔圖2(a)〕:**層P型半導體引出的電極叫陽極A,*三層P型半導體引出的電極叫控制較G,*四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到,它和二極管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制較G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor?module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件??煽毓枘K從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、
進口晶閘管供應? 常見晶閘管特點用途介紹1、單結晶體管單結晶體管(UJT)也稱雙基較二極管。從結構功能上類似晶閘管,它是由1個PN結和兩只內電阻構成的三端半導體器件,有一個PN結和2個基較,具有電路簡單、熱穩定性好等優點。廣泛應用于振蕩、定時、雙穩電路及晶閘管觸發等電路。2、單向晶閘管單向晶閘管(SCR)是由PNPN4層3個PN結組成的,它被廣泛用于可控整流、交流調壓、逆變器和開關電源電
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