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詞條說明
Pfeiffer?分子泵組應(yīng)用于紅外原位分析平臺(tái)紅外原位瞬態(tài)反應(yīng)過程分析實(shí)驗(yàn)平臺(tái)是與世界實(shí)驗(yàn)室同步水平研究的變溫變壓綜合實(shí)驗(yàn)設(shè)備, 由原位吸附高真空系統(tǒng), 低溫系統(tǒng), 氣液物料, 探針凈化控制系統(tǒng)和壓力突變等部件組成, 可用于開展樣品的熱脫附, 熱解, 探針分子飽和吸附和探針分子脈沖微吸附等復(fù)雜反應(yīng)過程研究.紅外原位分析平臺(tái)的主要特點(diǎn)是對(duì)固體材料進(jìn)行嚴(yán)格的高真空和高溫預(yù)處理, 可在高真空
美國(guó) KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用
上海伯東美國(guó)?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù), 安裝于各類真空設(shè)備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機(jī), lo
上海伯東美國(guó)?KRi 考夫曼 RF 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 ?IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.KRi?離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用通常安裝兩個(gè)離子源主要濺射沉積源和二次預(yù)清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應(yīng)性
美國(guó)?HVA 真空閥門中國(guó)總代理上海伯東是美國(guó)?HVA 高真空和高真空閥門中國(guó)總代理!?HVA?是美國(guó)大的真空閥門制造商, 在美國(guó)有過四十年的歷史, 擁有6萬平方英尺的全自動(dòng)加工工廠,?HVA?提供高質(zhì)量, 準(zhǔn)確, 客制化的真空閥門. 無論是生產(chǎn)線升級(jí), 還是新設(shè)備制造,?HVA?都能提供經(jīng)濟(jì)有效的閥門解決方案,
公司名: 伯東企業(yè)(上海)有限公司
聯(lián)系人: 葉南晶
電 話: 021-50463511
手 機(jī): 13918837267
微 信: 13918837267
地 址: 上海浦東高橋上海浦東新區(qū)新金橋路1888號(hào)36號(hào)樓7樓702室
郵 編:
網(wǎng) 址: hakuto2010.cn.b2b168.com
公司名: 伯東企業(yè)(上海)有限公司
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