plasma等離子處理TEOS工藝沉積二氧化硅薄膜的光譜研究

時間：2023-03-20作者：深圳子柒科技有限公司瀏覽：149

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• plasma等離子處理TEOS工藝沉積二氧化硅薄膜的光譜研究

  二氧化硅薄膜是一種性能優(yōu)良的介質(zhì)材料，它具有介電性能穩(wěn)定，介質(zhì)損耗小，耐潮性好，溫度系數(shù)好等優(yōu)點(diǎn)，具有較其穩(wěn)定的化學(xué)性和電絕緣性。因此，二氧化硅在集成電路工藝中的應(yīng)用很廣泛。? ? ? ? 正是由于二氧化硅薄膜在集成電路工藝中應(yīng)用的廣泛性，所以需要制備具有不同特性的二氧化硅薄膜，這就意味著要不斷研發(fā)出各種新型的薄膜沉積技術(shù)。近年來，常壓plasma等離子處理

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